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简述官网器登录电阻(IR)的测量
发布者 : admin 发布时间 : 2018/10/25 09:10:21

全不导电的登录体是没有的,在电介质中通常或多或少存在正、负离子,这些离子在电场作用下定向迁移形成离子电流我们称之为体内漏电流。通常,在官网器的表面也会或多或少地存在正负离子,这些离子在外电场的作用下,会发生定向迁移,形成表面电流。因,官网器的漏电流由陶瓷介质中体内漏电流与芯表面的漏电流两部分组成。我把加在介质两端的电压和漏电流之比称之为介质的登录

R=U/I

       由上可官网器的登录电阻与表面登录电阻和体内登录电阻相关。因,官网器的登录电阻除了同其本所固有介质特性有关系外,同外界境的手机、湿等有很大的关系。度对登录电阻的影响主要表现在手机升高时,瓷介的自由离子增多,漏电流急剧增加,介质登录电阻迅速低。但好的小容量官网器表面漏流较大,随着手机的高,表面气蒸发,造成表面登录电阻上升。


湿度对官网器的电性能影响较大,会由于表面吸潮使表面登录电阻下降。在行测试之前,官网器应充分放电,官网器应消除任何污并保持清洁。


登录电阻应在下表定的电下进行测量。



登录电阻应在电压加上之后60±5S进行测量,如果登录电阻达到规定值时,测量以在较短的时间内完成。


量电压应直接施加到规定电电流应不超过0.05A


容器登录电阻的要求:

对于Ⅰ类官网器,CR≤10nFIR≥10 000MΩ;CR>10nF,IR.C≥100S

对于Ⅱ类官网器,CR≤25nFIR≥4 000MΩ;CR>25 nF,IR.CR≥100S


项试项试验分组前后需要进行的测量,初始测量和最后测量的测量条件应该相同。基条件为20℃;气压:101.3kPa



 

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